厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。此外，改变薄膜厚度还会严重影响 tcr。tcr是个不容忽视的微小参数，它的单位是ppm/℃。1%的普通电阻的tcr系数在几千ppm/°c范围内，整体阻值的变化与电阻的材料、实际功率以及物理尺寸有关系。
薄膜电阻器是用蒸发的方法将定电阻率材料蒸镀于缘材料表面制成,具有均匀厚度薄膜电阻的量度。通常被用作评估半导体掺杂的结果。这种工艺的例子有：参杂半导体领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。
薄膜电阻和厚膜电阻的区别是：
其是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；
其二是制造工艺的区别，厚膜电路般采用丝网印刷工艺，薄膜电路采用的是空蒸发、磁控溅射等工艺方法。
电材料分类
目前，制作电阻薄膜的材料有许多，包括纯金属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等，但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷，其中镍铬属于低阻类材料，而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同，常用薄膜类电阻材料分为三种，镍铬、铬硅和铬氧化硅
薄膜电阻器与厚膜电阻器主要有以下两个区别：
、膜厚的区别，厚膜电阻的膜厚般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；
二、制造工艺的区别，厚膜电阻般采用丝网印刷工艺，薄膜电阻采用的是空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜电阻和薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻般度较差，10%，5%，1%是常见度，而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之度，0.1%千分之度等。 同时厚膜电阻的温度系数上很难控制，般较大，同样的，薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，医疗器械，电源，电力设备，电子数码产品等。
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