m8918可以完全替代bp2328a，m8918是茂捷半导体设计研发的一款高pf非隔离内置mos的led芯片，芯片经过各项测试，均达到led行业要求，在与bp2328的对比上，m8918基本各项参数都有所优势，首先m8918与bp2328属于pin对pin，只需修改少许外围元件即可实现较稳定的性能，其次m8918的优势在与①高pf 高效率② 启动电流低 防止回闪③ 浮地架构，长相电压检测抗干扰能力强④恒流精度高，输出电压范围宽！m8918在bp2328的基础上也有不少的改进，在实际应用中，稳定性更高，在效率方面也提高了，可以说是加强版bp2328a，但是在价位上却有着优势，m8918目前已经得到各大厂家的青睐，我们可提供详细参数资料以及样品与edmo版，真品质好服务，茂捷为您！
m8918参数
符号参数                      参数范围 单位
vds 内部高压 mosfet 漏极到源极的峰值电压 -0.3~600 v
idd_max vdd引脚**钳位电流                    10 ma
comp 环路补偿点                 -0.3~6 v
inv 辅助绕组的反馈端                -0.3~6       v
sen 电流采样端                 -0.3~6 v
pdmax 功耗                          0.45 w
θ ja pn 结到环境的热阻                  145     ℃/w
tj 工作结温范围              -40 to150 ℃
tstg 储存温度范围               -55 to150 ℃
esd                             2 kv
m8918 集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率 因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临 界连续模式，功率 mos管处于零电流开通状态，开 关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。
m8918 内部集成 600v 功率 mosfet,只需要很少的 外围器件，即可实现优异的恒流特性.
m8918 采用专利的浮地构架，对电感电流进行全 周期采样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优异的线电压调整率和负载调整率。
有源功率因数校正，高 pf 值，低 thd
内置 600v 功率 mosfet
高达 95%的系统效率
±3% led  输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低 (33ua) 启动电流
超低 (300ua)  工作电流
led 短路/开路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期电流限流
芯片供电欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
采用 sop-8/dip-8 封装
深圳市泰德兰电子有限公司（茂捷一级代理商）
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王生
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